هافنیوم در سال 1869 توسط دمیتری مندلیف پیش‌بینی شده بود اما در سال 1922 برای اولین‌بار توسط دیرک کوستر و جورج هویس جدا شد. هافنیوم در شکل ابتدایی خود ظاهری براق و نقره‌ای خاکستری دارد. هافنیوم به عنوان یک عنصر آزاد در طبیعت وجود ندارد.
کاربید هافنیوم (HfC) یک ترکیب شیمیایی از هافنیوم و کربن است. کاربید هافنیوم با نقطه ذوب در حدود 3890 °C درجه سانتی‌گراد یکی از مقاوم‌ترین و نسوز‌ترین ترکیبات دودویی شناخته شده است. با این حال، دارای مقاومت در برابر اکسیداسیون کم می‌باشد و اکسیداسیون در دماهای پایین 430 درجه سانتی‌گراد شروع می‌شود.
کاربید هافنیوم معمولاً کمبود کربن دارد، بنابراین ترکیب آن اغلب به صورت HfCx (x = 0.5 تا 1.0) بیان می‌شود. این ساختار کریستالی مکعبی (سنگ نمکی) با مقادیر متفاوت x می‌باشد.
ویژگی‌های کاربید هافنیوم:
| 12.2 g/cm3 | چگالی |
| 3890 °C | نقطه ذوب |
| 190.54 g/mol | وزن مولکولی |
| 4603 °C | نقطه جوش |
| 292.88 W/m C | هدایت گرمایی |
| 7.5-8.2 10-6 K-1 | ضریب انبساط حرارتی |
| 109 micro-ohm cm | مقاومت الکتریکی |
تولید کاربید هافنیوم:
پودر کاربید هافنیوم با کاهش اکسید هافنیوم (IV) با کربن در دمای 1800 تا 2000 درجه سانتی‌گراد به دست می‌آید. زمان زیادی برای پردازش و از بین بردن اکسیژن لازم است. از طرف دیگر، پوشش‌های HfC با خلوص بالا می‌توانند با رسوب بخار شیمیایی از مخلوط گاز متان، هیدروژن و کلرید هافنیوم (IV) تبخیر شده به‌دست آیند.
موارد استفاده از کاربید هافنیوم:
علی‌رغم خواص مطلوب HfC از قبیل سختی (> 9 Mohs) و نقطه ذوب بالا، به دلیل پیچیدگی فنی و هزینه بالای سنتز کاربرد بسیار کمی دارد.
کاربید هافنیـوم در پوشش‌های سخت استفاده می‌شود، که اغلب توسط فرآیندی مانند پاشش پلاسما استفاده می‌شود.
خواص مغناطیسی HfCx:
خواص مغناطیسی HfCx از پارامغناطیس برای x ≤ 0.8 به دیا مغناطیس برای x های بزرگ‌تر تغییر می‌کند.
علی‌رغم داشتن ساختار کریستالی مشابه HfCx با TaCx یک رفتار معکوس (با افزایش X خاصیت مغناطیس از دیامغناطیس به پارامغناطیس تغییر می‌یابد) برای TaCx مشاهده می‌شود.
